Interne Speicher Christian Barby FIN61 2007. Interne SpeicherRAM Dynamischer RAM (DRAM) Statischer RAM (SDRAM) ROM Elektrische Speicher (ROM, PROM)

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    06-Apr-2015

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Folie 1 Interne Speicher Christian Barby FIN61 2007 Folie 2 Interne SpeicherRAM Dynamischer RAM (DRAM) Statischer RAM (SDRAM) ROM Elektrische Speicher (ROM, PROM) Einmal programmierbar (EPROM, EEPORM, Flash EPROM) bersicht Christian Barby FIN61 2007 Folie 3 DRAM bezeichnet eine Technologie fr einen elektronischen Speicherbaustein. Er ist als integrierter Schaltkreis ausgefhrt. Sein Inhalt ist flchtig, das heit die gespeicherte Information geht bei fehlender Betriebsspannung oder Wiederauffrischung verloren. Christian Barby FIN61 2007 Folie 4 SRAM Wahlfrei bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle ber ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden kann. (bei groen Speicherbausteinen erfolgt die Adressierung jedoch nicht ber die einzelnen Zellen, sondern ber ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhngt). Christian Barby FIN61 2007 Folie 5 ROM Das ROM ist ein digitalter Festwertspeicher, in dem Daten dauerhaft und unvernderlich gespeichert sind. Christian Barby FIN61 2007 Folie 6 PROM PROMs sind nur einmal programmierbar. Jede Bit-Zelle besteht aus einer Diode und einer Schwachstelle. Diese kann vom Anwender durch ein Programmier-Gert zerstrt werden. Der daraus efolgte Zustand dieses Bausteins bleibt nun fr immer bestehen. Christian Barby FIN61 2007 Folie 7 EPROM Beim EPROM nutzt man die selbe Technik zum Programmieren, wie bei den PROMs. Das EPROM bentigt bestimmte Spannungsimpulse zum Programmieren. Dafr wird ein Zusatzgert, der EPROM-Programmer verwendet. Deshalb beinhalten diese Speicherbausteine ein Quarzglasfenster, durch das der Chip zum Lschen mit hartem UV-Licht betrahlt wird. Das Lschen wird in einem Lschgert vorgenommen Der Lschvorgang dauert einige Minuten Christian Barby FIN61 2007 Folie 8 EEPORM Bei EEPROMs besteht die Mglichkeit die Speicherzellen durch Spannungsimpulse zu programmieren und zu lschen. Die Programmierzeit ist relativ lang und die Anzahl der Programmierzyklen ist begrenzt. EEPROMs gibt es sehr hufig mit serieller Programmierweise. Die Speicherung der Daten wird ber eine serielle Leitung durchgefhrt. Das EEPROM wird blicherweise zum Speichern von Bedienerdaten, Konfigurationen, Parametern und Einstellungen verwendet. Christian Barby FIN61 2007 Folie 9 Flash EPROM Beim Flash-EPROM ist die Speicherung von Daten funktionell identisch wie beim EEPROM. Die Daten werden allerdings wie bei einer Festplatte blockweise in Datenblcken zu 64, 128, 256, 1024,... Byte zugleich geschrieben und gelscht. Das Programmieren ist sehr zeitaufwendig und kompliziert. Die erreichbare Speichergre ist durch die einfache und platzsparende Anordnung der Speicherzellen nach Oben offen. Die Daten bleiben ohne Stromzufuhr bis zu 10 Jahre erhalten. Die Anwendung von Flash-Memory sind kleine Speicherkarten in PCMCIA- oder CompactFlash-Format. Christian Barby FIN61 2007 Folie 10 Vielen Dank fr Ihre Aufmerksamkeit Christian Barby FIN61 2007

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